STF6N65K3 STM
Symbol Micros:
TSTF6n65k3
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,3Ohm; 5,4A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF6N65K3
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
575 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1494 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF6N65K3
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0762 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |