STF7NM60N
Symbol Micros:
TSTF7NM60n
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 20W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF7NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3900 | 3,2200 | 2,5800 | 2,2200 | 2,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF7NM60N
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF7NM60N
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1443 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 20W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |