STGB10NC60HD
Symbol Micros:
TSTGB10nc60hd
Obudowa: D2PAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: STGB10NC60HDT4;
Parametry
Ładunek bramki: | 19,2nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 65W |
Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 30A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,75V ~ 5,75V |
Obudowa: | D2PAK |
Producent: | STMicroelectronics |
Ładunek bramki: | 19,2nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 65W |
Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 30A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,75V ~ 5,75V |
Obudowa: | D2PAK |
Producent: | STMicroelectronics |
Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |