STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGD6nc60hdt4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Dodaj do ulubionych
Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 21A; 56W; 3,75V~5,75V; 13,6nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: STGD6NC60HD;
Parametry
Ładunek bramki: 13,6nC
Maksymalna moc rozpraszana: 56W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 21A
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,75V ~ 5,75V
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Producent: ST Symbol producenta: STGD6NC60HD RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ST Symbol producenta: STGD6NC60HDT4 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ładunek bramki: 13,6nC
Maksymalna moc rozpraszana: 56W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 21A
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,75V ~ 5,75V
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta