STGW39NC60VD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW39nc60vd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 220A; 250W; 3,75V~5,75V; 126nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 126nC
Maksymalna moc rozpraszana: 250W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 220A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,75V ~ 5,75V
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Producent: ST Symbol producenta: STGW39NC60VD RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
68 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 16,0200 13,4700 11,9400 11,1800 10,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/330
Ładunek bramki: 126nC
Maksymalna moc rozpraszana: 250W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 220A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,75V ~ 5,75V
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: SMD