STGW40V60DF
Symbol Micros:
TSTGW40v60df
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 283W; 5V~7V; 226nC; -55°C~175°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 226nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 283W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 7,0V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ST |
Producent: ST
Symbol producenta: STGW40V60DF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
445 szt.
| ilość szt. | 150+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8779 |
| Ładunek bramki: | 226nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 283W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 7,0V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ST |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |