STGWA60H65DFB STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGWA60h65dfb
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 240A; 375W; 5V~7V; 306nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 306nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 375W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 240A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 7,0V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ST |
| Ładunek bramki: | 306nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 375W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 240A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 7,0V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ST |
| Napięcie kolektor-emiter: | 650V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |