STH240N10F7-2 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTH240N10F7-2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 2,5mOhm; 180A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO263
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO263
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD