STN1NK60Z

Symbol Micros: TSTN1nk60z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STN1NK60Z RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1855 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8900 1,1400 0,8780 0,7920 0,7540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Rezystancja otwartego kanału: 15Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD