STN1NK60Z

Symbol Micros: TSTN1nk60z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223t/r
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STN1NK60Z RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1565 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,0300 0,8100 0,7500 0,7190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Rezystancja otwartego kanału: 15Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta