STN3NF06
Symbol Micros:
TSTN3nf06
Obudowa: SOT223
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3NF06
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6297 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3NF06
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4979 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |