STN3NF06L
Symbol Micros:
TSTN3nf06l
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3NF06L RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9200 | 1,8500 | 1,4600 | 1,3300 | 1,2700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3NF06L
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
184000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3NF06L
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |