STN851 SOT223 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTN851
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 350; 1,6W, 60V; 5A; 130MHz, -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 1,6W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | SOT223 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 350 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ST
Symbol producenta: STN851 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8100 | 1,1800 | 0,8480 | 0,7420 | 0,6950 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN851
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6950 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN851
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
13000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6950 |
| Moc strat: | 1,6W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | SOT223 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 350 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |