STP03D200

Symbol Micros: TSTP03D200
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 230; 40W; 1200V; 100mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 230
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: STP03D200 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 29,7200 25,2300 22,4800 21,0800 20,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 230
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta