STP10NK60Z
Symbol Micros:
TSTP10NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
510 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5589 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
6800 szt.
| ilość szt. | 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8585 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
17200 szt.
| ilość szt. | 700+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1779 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |