STP10NK80ZFP
Symbol Micros:
TSTP10NK80ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK80ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1684 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK80ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
14850 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2042 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK80ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
2950 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0882 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |