STP11NK50ZFP
Symbol Micros:
TSTP11NK50ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 520mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP11NK50ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,5300 | 2,8300 | 2,4300 | 2,2900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP11NK50ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP11NK50ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
5850 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4236 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 520mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |