STP11NM60FD

Symbol Micros: TSTP11NM60FD
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 600V
Producent: ST Symbol producenta: STP11NM60FD Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
10450 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2204
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: THT