STP11NM60FD
Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 11A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 11A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |