STP11NM80

Symbol Micros: TSTP11NM80
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 150W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP11NM80 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,0200 11,2500 10,2100 9,5500 9,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta