STP12NM50FP
Symbol Micros:
TSTP12NM50FP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 550V; 30V; 350mOhm; 12A; 35W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 35W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 35W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |