STP13N60M2  STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP13N60M2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: IPAK
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP13N60M2 Obudowa dokładna: IPAK  
Magazyn zewnetrzny:
23500 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6212
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: IPAK
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT