STP13NK60Z

Symbol Micros: TSTP13NK60Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalna tracona moc: 150W
Maksymalny prąd drenu: 13A
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP13NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8200 5,2100 4,3100 3,7800 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalna tracona moc: 150W
Maksymalny prąd drenu: 13A
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT