STP13NK60Z
Symbol Micros:
TSTP13NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4650 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0587 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0570 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2700 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2329 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-14
Ilość szt.: 50
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |