STP13NK60Z
Symbol Micros:
TSTP13NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4650 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,2829 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,6574 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,4567 |
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |