STP13NK60Z
Symbol Micros:
TSTP13NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1400 | 6,4900 | 5,5600 | 4,9900 | 4,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
7409 szt.
| ilość szt. | 200+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3300 szt.
| ilość szt. | 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
950 szt.
| ilość szt. | 200+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |