STP140N8F7 STM

Symbol Micros: TSTP140n8f7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 4,3mOhm; 90A; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 4,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT