STP14NM50N
Symbol Micros:
TSTP14NM50N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NM50N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9400 | 5,2900 | 4,3800 | 3,8400 | 3,6500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NM50N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 200+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |