STP16N65M5

Symbol Micros: TSTP16N65M5
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 279mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP16N65M5 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 11,8900 9,7900 9,0000 8,5800 8,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 279mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT