STP18N60M2
Symbol Micros:
TSTP18N60M2
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP18N60M2-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |