STP20NF06L

Symbol Micros: TSTP20NF06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 18V; 85mOhm; 20A; 60W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ISC Symbol producenta: STP20NF06L RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,8000 2,7900 2,2400 1,9200 1,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: import Symbol producenta: STP20NF06L RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,8000 2,7900 2,2400 1,9200 1,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 18V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT