STP20NF06L
Symbol Micros:
TSTP20NF06L
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 18V; 85mOhm; 20A; 60W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 60W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ISC
Symbol producenta: STP20NF06L RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,8000 | 2,7900 | 2,2400 | 1,9200 | 1,8100 |
Producent: import
Symbol producenta: STP20NF06L RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,8000 | 2,7900 | 2,2400 | 1,9200 | 1,8100 |
Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 60W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 18V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |