STP22NM60N
Symbol Micros:
TSTP22NM60N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 30V; 220mOhm; 16A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 220mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP22NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,8000 | 7,7800 | 6,7700 | 6,6500 | 6,5300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP22NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2900 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP22NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 220mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |