STP26NM60N
Symbol Micros:
TSTP26NM60N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,9200 | 9,4400 | 8,5600 | 8,0100 | 7,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
6250 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2750 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |