STP2NK90Z
Symbol Micros:
TSTP2NK90Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 900V; 30V; 6,5Ohm; 2,1A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 900V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP2NK90Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9500 | 2,9000 | 2,3200 | 1,9900 | 1,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP2NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP2NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4250 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP2NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
26637 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |