STP30NF20

Symbol Micros: TSTP30NF20
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT