STP34NM60N

Symbol Micros: TSTP34NM60N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31,5A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP34NM60N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,0400 12,5300 11,6200 11,0300 10,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31,5A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT