STP36NF06L

Symbol Micros: TSTP36NF06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 18V; 50mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: ST Symbol producenta: STP36NF06L Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1100 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1071
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP36NF06L Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
77850 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9547
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP36NF06L Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
780 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0266
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 18V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT