STP3NK90Z
Symbol Micros:
TSTP3NK90Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK90Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
34 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3900 | 3,2200 | 2,5800 | 2,2200 | 2,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
15329 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |