STP3NK90Z
Symbol Micros:
TSTP3NK90Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 90W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK90Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
34 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,8300 | 3,5400 | 2,8400 | 2,4400 | 2,3000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3150 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,3000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
14137 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,3000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 90W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |