STP4NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP4NK60ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0200 | 3,5000 | 2,9700 | 2,8000 | 2,6400 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6400 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |