STP4NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP4NK60ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 25W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,7600 | 2,7600 | 2,2100 | 1,9000 | 1,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 25W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |