RCP55N06 TO220 REALCHIP

Symbol Micros: TSTP55NF06 REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 25V; 19mOhm; 50A; 68W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalna tracona moc: 68W
Maksymalny prąd drenu: 50A
Obudowa: TO220
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: REALCHIP Symbol producenta: RCP55N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4800 1,5000 1,1500 1,0400 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalna tracona moc: 68W
Maksymalny prąd drenu: 50A
Obudowa: TO220
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT