STP55NF06FP
Symbol Micros:
TSTP55NF06FP
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06FP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
110 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6800 | 2,7000 | 2,1600 | 1,8600 | 1,7500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06FP
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
18107 szt.
| ilość szt. | 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06FP
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
18800 szt.
| ilość szt. | 1150+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |