STP55NF06L

Symbol Micros: TSTP55NF06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 20mOhm; 55A; 95W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 55A
Maksymalna tracona moc: 95W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06L RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
160 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0200 3,6800 2,9500 2,5300 2,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 55A
Maksymalna tracona moc: 95W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT