STP5NK60Z

Symbol Micros: TSTP5NK60Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,6Ohm; 5A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Producent: ST Symbol producenta: STP5NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
cena netto (PLN) 3,6300 2,3000 1,8100 1,6400 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/700
Rezystancja otwartego kanału: 1,6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT