STP60N043DM9 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP60N043DM9
Obudowa:
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 55A |
| Maksymalna tracona moc: | 69W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60N043DM9
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 23,2728 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 55A |
| Maksymalna tracona moc: | 69W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |