STP60NF10
Symbol Micros:
TSTP60NF10
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP50NE08; STP50NF08;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF10 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7700 | 5,4000 | 4,6200 | 4,1500 | 3,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
6550 szt.
| ilość szt. | 600+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
510 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
48800 szt.
| ilość szt. | 250+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |