STP65NF06

Symbol Micros: TSTP65NF06
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP65NF06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,1100 3,9000 3,2300 2,8300 2,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT