STP65NF06
Symbol Micros:
TSTP65NF06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1100 | 3,9000 | 3,2300 | 2,8300 | 2,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
13899 szt.
| ilość szt. | 250+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2750 szt.
| ilość szt. | 900+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |