STP6N60M2

Symbol Micros: TSTP6N60M2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
N-MOSFET 4.5A 600V 60W 1.2Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4,5A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP6N60M2 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6277
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP6N60M2 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6456
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4,5A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT