STP6NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP6NK60ZFP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 6A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
151750 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8915
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
27320 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9374
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta