STP6NK90Z
Symbol Micros:
TSTP6NK90Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,9500 | 5,5500 | 4,7500 | 4,2600 | 4,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
701 szt.
ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3050 szt.
ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,0900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
9843 szt.
ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,0900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |