VBZM75NF75
Symbol Micros:
TSTP75NF75 VBS
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 9mOhm; 100A; 180W; -55°C~150°C; STP75NF75-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 180W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VBSEMI ELEC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 180W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VBSEMI ELEC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
STP75NF75
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP75NF75 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 5,3200 | 3,7300 | 2,9800 | 2,9000 | 2,8000 |
Sposób pakowania: 50/100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP75NF75 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
4350 szt.
| Ilość szt. | 300+ |
| cena netto (PLN) | 2,8000 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP75NF75 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
11350 szt.
| Ilość szt. | 250+ |
| cena netto (PLN) | 2,8000 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
STP75NF75 TO220
80V 96A 6.2m?@10V,40A 1 N-channel HSTP75NF75, STP75NF75-VB;
Pozycja dostępna na zamówienie
HSTP75NF75 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP75NF75;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
HSTP75NF75 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
50 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,2000 | 2,4700 | 2,3900 | 2,2900 |
Sposób pakowania: 50/100
Ilość (wielokrotność 1)