STP7N80K5
Symbol Micros:
TSTP7N80K5
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 1,2Ohm; 6A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7N80K5 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,4100 | 7,7000 | 6,7200 | 6,1100 | 5,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7N80K5
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7N80K5
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
894 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7N80K5
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |