STP80NF10

Symbol Micros: TSTP80NF10
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP80NF10 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,3000 6,3800 5,4200 5,2500 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT