STP80NF55-08

Symbol Micros: TSTP80NF55-08
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP80NF55-08 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5015
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP80NF55-08 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
7100 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,3377
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT