STP8NK80Z

Symbol Micros: TSTP8NK80Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,5Ohm; 6,2A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6,2A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP8NK80Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,6100 5,2700 4,5100 4,0600 3,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 1,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6,2A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta