STP8NM50N
Symbol Micros:
TSTP8NM50N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 550V; 25V; 790mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 790mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NM50N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7900 | 3,5100 | 2,8200 | 2,4200 | 2,2800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NM50N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2230 szt.
| ilość szt. | 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NM50N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 900+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NM50N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2850 szt.
| ilość szt. | 350+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 790mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |